2N3819
http://onsemi.com
3
f, FREQUENCY (MHz)
30
0.3
10
bis
@ I
DSS
f, FREQUENCY (MHz)
5.0
Figure 1. Input Admittance (yis) Figure 2. Reverse Transfer Admittance (yrs)
COMMON SOURCE CHARACTERISTICS
ADMITTANCE PARAMETERS
(VDS
= 15 Vdc, T
channel
= 25
°C)
f, FREQUENCY (MHz)
20
f, FREQUENCY (MHz)
10
Figure 3. Forward Transadmittance (yfs) Figure 4. Output Admittance (yos)
g
is
, INPUT CONDUCTANCE (mmhos)
20
10
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
20 30 50 70 100 200 300
500 700
1000
b
is
, INPUT SUSCEPTANCE (mmhos)
g
fs
, FORWARD TRANSCONDUCTANCE (mmhos)
|b
fs
|, FORWARD SUSCEPTANCE (mmhos)
g
rs
, REVERSE TRANSADMITTANCE (mmhos)
b
rs
, REVERSE SUSCEPTANCE (mmhos)
0.2
10 20 30 50 70 100 200 300
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
g
os
, OUTPUT ADMITTANCE (mhos)
b
os
, OUTPUT SUSCEPTANCE (mhos)
3.0
0.05
10 20 30 50 70 100 200 300
0.07
0.1
0.2
0.3
0.7
0.5
1.0
2.0
500 700
1000
500 700
1000
0.01
10 20 30 50 70 100 200 300
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
500 7001000
bis
@ 0.25 I
DSS
gis
@ I
DSS
gis
@ 0.25 I
DSS
brs
@ I
DSS
0.25 IDSS
grs
@ I
DSS, 0.25 IDSS
gfs
@ I
DSS
|bfs| @ IDSS
|bfs| @ 0.25 IDSS
bos
@ I
DSS
and 0.25 I
DSS
gos
@ I
DSS
gos
@ 0.25 I
DSS
gfs
@ 0.25 I
DSS
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
2N5486RLRPG
IC AMP RF N-CH 25V TO-92
32CTQ025
DIODE SCHOTTKY 25V 15A TO-220AB
4160164XX-3
HD3000S 3GSDI ADAP SGLPORT 3GBPS
505Q-0128-S010
ENCODER MAG QUADRATURE 5VDC
513385
SWITCH ROTARY SP-12POS BCD
52CPQ030
DIODE SCHOTTKY 30V 25A TO-247AC
60A18-8-060C
IEM OTHER
60AD18-8-M-060C
IEM OTHER
相关代理商/技术参数
2N3819 PBFREE
功能描述:TRANS JFET N-CH 25V 10MA TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:Digi-Reel? 零件状态:有效 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标准包装:1
2N3819
制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92
2N3819
制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92
2N3819/D
制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:JFET VHF/UHF Amplifier
2N3819_02
制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel RF Amplifier
2N3819_D27Z
功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
2N3819_D27Z_Q
功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
2N3819_D74Z
功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel